Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene simultáneamente una corriente de encendido alta y una corriente de apagado ultrabaja. A través de esta tecnología se espera conseguir una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de bajo consumo que aproveche la propiedad de fuga ultrabaja del transistor de InGaZnO*1. Este anuncio se realizó por primera vez en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco (California), el 9 de diciembre de 2024. Se trata de un logro desarrollado conjuntamente por Nanya Technology y Kioxia Corporation. Esta tecnología tiene el potencial de reducir el consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos los sistemas de comunicación de IA y post-5G, y los productos de IoT.
Este comunicado de prensa trata sobre multimedia. Ver la noticia completa aquí: https://www.businesswire.com/news/home/20241209714275/es/
Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)
La tecnología OCTRAM utiliza un transistor vertical de InGaZnO en forma de cilindro (Fig. 1) como transistor de celda. Este diseño permite adaptar una DRAM 4F2, que ofrece importantes ventajas en densidad de memoria en comparación con la DRAM 6F2 convencional basada en silicio.
El transistor vertical de InGaZnO consigue una corriente de encendido elevada de más de 15 μA/celda (1,5 x 10-5 A/celda) y una corriente de apagado ultrabaja, inferior a 1aA/celda (1,0 x 10-18 A/celda), gracias a la optimización tanto del dispositivo como del proceso (Fig. 2). En la estructura OCTRAM, el transistor vertical de InGaZnO está integrado sobre un condensador con alta relación de aspecto (proceso que prioriza el condensador). Esta disposición permite desacoplar la interacción entre el proceso avanzado del condensador y el rendimiento del InGaZnO (Fig. 3).
*1: InGaZnO es un compuesto de In (indio), Ga (galio), Zn (zinc) y O (oxígeno).
- Este anuncio se ha preparado con la intención de proporcionar información sobre nuestra empresa y no constituye ni forma parte de una oferta o invitación a vender ni de una solicitud de oferta para comprar o suscribir o adquirir de otro modo valores en ninguna jurisdicción, ni de una incitación a participar en actividades de inversión, ni constituirá la base de ningún contrato al respecto, ni será invocado en relación con el mismo.
- La información contenida en este documento, incluidos los precios y especificaciones de los productos, el contenido de los servicios y la información de contacto, es correcta en la fecha del anuncio, pero está sujeta a modificaciones sin previo aviso.
Acerca de Kioxia
Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está configurando el futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.
El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.
Vea la versión original en businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20241209714275/es/